Toshiba Semiconductor and Storage TK7J90E,S1E

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

供应商器件包装

TO-3P(N)

质量

6.961991g

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

200W Tc

Turn Off Delay Time

85 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 700μA

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

π-MOSVIII

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

通道数量

1

元素配置

Single

接通延迟时间

55 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2Ohm @ 3.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1350pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32nC @ 10V

上升时间

20ns

漏源电压 (Vdss)

900V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

7A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

900V

输入电容

1.35nF

漏源电阻

1.6Ohm

最大rds

2 Ω

RoHS状态

符合RoHS标准