Toshiba Semiconductor and Storage TK8A10K3,S5Q

工厂交货时间

52 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

供应商器件包装

TO-220SIS

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

18W Tc

已出版

2010

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

U-MOSIV

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

120mOhm @ 4A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

530pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.9nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

8A

输入电容

530pF

最大rds

120 mΩ

RoHS状态

符合RoHS标准