Toshiba Semiconductor and Storage TK8A60W,S4VX

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

供应商器件包装

TO-220SIS

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

30W Tc

Turn Off Delay Time

70 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

DTMOSIV

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电容量

570pF

元素配置

Single

功率耗散

30W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

500mOhm @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.7V @ 400μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

570pF @ 300V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18.5nC @ 10V

上升时间

20ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

5.5 ns

连续放电电流(ID)

8A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

输入电容

570pF

场效应管特性

超级交界处

漏源电阻

420mOhm

最大rds

500 mΩ

RoHS状态

符合RoHS标准