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TT Electronics D2012UK
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D2012UK
2577-D2012UK
晶体管 - FET，MOSFET - 射频
DP
大陆
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RF MOSFET Transistors RF MOSFET
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D2012UK详情
TT Electronics D2012UK重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
DP
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
65 V
Transistor Polarity
N-Channel
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Id - Continuous Drain Current
4 A
技术
Si
工作频率
1 GHz
输出功率
10 W
增益
10 dB
D2012UK拓展信息
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
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