注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.326483
10
¥3.138191
100
¥2.960559
500
¥2.79298
1000
¥2.634887
Vishay Intertechnologies SI4848DY-T1-GE3
- 收藏
- 对比
SI4848DY-T1-GE3
2668-SI4848DY-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI4848DY-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI4848DY-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
质量
2.62
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Transport packaging size/quantity
60*18*12/1000
Trip temperature
90±5
Noal current
2.5 Amin
Maximum voltage
220 VAC or 24 VDC
Switching scheme
normally open (NO)
Dielectric strength
500VAC
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8
Drain Current-Max (ID)
2.7 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
Lead length
14 mm
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Insulation resistance
≥100 MOhm
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.085 Ω
DS 击穿电压-最小值
150 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
3 W
饱和电流
1
高度
case 15.6 mm, leads 14 mm
宽度
10.2 mm
SI4848DY-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies






哦! 它是空的。