注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.765625
10
¥2.609077
100
¥2.461399
500
¥2.322072
1000
¥2.190634
Vishay Intertechnologies SI6968BEDQ-T1-E3
- 收藏
- 对比
SI6968BEDQ-T1-E3
2668-SI6968BEDQ-T1-E3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSSOP-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI6968BEDQ-T1-E3详情
Vishay Intertechnologies SI6968BEDQ-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
2
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
TSSOP-8
Drain Current-Max (ID)
5.2 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.022 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1 W
饱和电流
1
SI6968BEDQ-T1-E3拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies






哦! 它是空的。