SI2338DS-T1-GE3详情
Vishay SI2338DS-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
引脚数
3
质量
1.437803 g
Case/Package
SOT-23-3
Fall Time
7 ns
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Schedule B
8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
Turn Off Delay Time
20 ns
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
2.5 W
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
1.3 W
接通延迟时间
3 ns
上升时间
11 ns
漏源电压 (Vdss)
30 V
连续放电电流(ID)
5.5 A
阈值电压
2.5 V
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
30 V
输入电容
424 pF
最大结点温度(Tj)
150 °C
漏源电阻
23 mΩ
最大rds
28 mΩ
高度
1.12 mm
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
SI2338DS-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
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