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1

￥1.263531
10

￥1.192011
100

￥1.124538
500

￥1.060885
1000

￥1.000835

Vishay SI2342DS-T1-GE3

Name: SI2342DS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 2668-SI2342DS-T1-GE3
Price: 1.26 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SI2342DS-T1-GE3

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-SI2342DS-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N-Channel 8 V 0.017 Ohm 2.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3

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SI2342DS-T1-GE3 Vishay N-Channel 8 V 0.017 Ohm 2.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3

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SI2342DS-T1-GE3详情

技术参数

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Vishay SI2342DS-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
触点镀层

Tin
底架

表面贴装
引脚数

3
Case/Package

SOT-23
Fall Time

25 ns
Number of Elements

1
RoHS

Compliant
Schedule B

8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
Turn Off Delay Time

65 ns
包装

Tape & Reel (TR)
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

2.5 W
通道数量

1
功率耗散

1.3 W
接通延迟时间

6 ns
上升时间

14 ns
漏源电压 (Vdss)

8 V
连续放电电流(ID)

6 A
阈值电压

800 mV
栅极至源极电压(Vgs)

5 V
漏源击穿电压

8 V
输入电容

1.07 nF
最大结点温度（Tj）

150 °C
漏源电阻

14 mΩ
最大rds

17 mΩ
高度

1.12 mm
辐射硬化

无
达到SVHC

无SVHC
无铅

无铅

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