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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.938143
10
¥1.828438
100
¥1.724941
500
¥1.627302
1000
¥1.535191
SI2399DS-T1-GE3详情
Vishay SI2399DS-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
Case/Package
SOT-23-3
Fall Time
9 ns
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Schedule B
8541290080
Turn Off Delay Time
28 ns
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
2.5 W
通道数量
1
功率耗散
2.5 W
接通延迟时间
22 ns
上升时间
20 ns
漏源电压 (Vdss)
-20 V
连续放电电流(ID)
-6 A
阈值电压
-600 mV
栅极至源极电压(Vgs)
12 V
漏源击穿电压
-20 V
输入电容
835 pF
最大结点温度(Tj)
150 °C
漏源电阻
37 mΩ
最大rds
34 mΩ
栅源电压
-600 mV
高度
1.12 mm
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
SI2399DS-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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