SI6875DQ-T1-E3
SI6875DQ-T1-E3

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Vishay SI6875DQ-T1-E3

  • 收藏
  • 对比

型号

SI6875DQ-T1-E3

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-SI6875DQ-T1-E3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,...

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
SI6875DQ-T1-E3
SI6875DQ-T1-E3 Vishay Small Signal Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,...

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

SI6875DQ-T1-E3详情

Vishay SI6875DQ-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • Case/Package

    TSSOP

  • Fall Time

    27 ns

  • RoHS

    Compliant

  • Turn Off Delay Time

    170 ns

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    1.19 W

  • 上升时间

    27 ns

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8 V

  • 漏源击穿电压

    20 V

  • 漏源电阻

    27 mΩ

0个相似型号

SI6875DQ-T1-E3拓展信息

SI4056ADY-T1-GE3
SI4056ADY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

SI1016CX-T1-GE3
SI1016CX-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

SI7216DN-T1-GE3
SI7216DN-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

SIS407DN-T1-GE3
SIS407DN-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

SI2307BDS-T1-E3
SI2307BDS-T1-E3

Vishay Intertechnologies

SI1013CX-T1-GE3
SI1013CX-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

SQ2389ES-T1_GE3
SQ2389ES-T1_GE3

Vishay Intertechnologies

SI2337DS-T1-GE3
SI2337DS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

SI6968BEDQ-T1-E3
SI6968BEDQ-T1-E3

Vishay Intertechnologies

SQJ479EP-T1_GE3
SQJ479EP-T1_GE3

Vishay Intertechnologies

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z