IRFL214TRPBF
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Vishay Intertechnologies IRFL214TRPBF

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型号

IRFL214TRPBF

utmel 编号

2668-IRFL214TRPBF

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.79A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

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IRFL214TRPBF Vishay Intertechnologies Small Signal Field-Effect Transistor, 0.79A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

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IRFL214TRPBF详情

Vishay Intertechnologies IRFL214TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    18 Weeks, 1 Day

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    生命周期结束

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Part Package Code

    TO-261AA

  • Package Description

    ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

  • Drain Current-Max (ID)

    0.79 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G4

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-261AA

  • 漏极-源极导通最大电阻

    2 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    6.3 A

  • DS 击穿电压-最小值

    250 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    50 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    3.1 W

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    9.6 pF

  • 饱和电流

    1

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技术文档: Vishay Intertechnologies IRFL214TRPBF.

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