Vishay Intertechnologies SI1469DH-T1-GE3
- 收藏
- 对比
SI1469DH-T1-GE3
2668-SI1469DH-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SC-70, 6 PIN
1最小包装量--
SI1469DH-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI1469DH-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SC-70, 6 PIN
Drain Current-Max (ID)
3.2 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Capacitance tolerance
±0.1pF
Mounting
SMD
Case - inch
0201
Case - mm
0603
Capacitors series
GCQ
Gross weight
0.03 g
Operating temperature
-55...125°C
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
电容量
0.8pF
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
不合格
电介质
C0G (NP0)
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.08 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
8 A
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.78 W
饱和电流
1
Operating voltage
50V
SI1469DH-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies







哦! 它是空的。