Vishay Intertechnologies SI1926DL-T1-GE3
- 收藏
- 对比
SI1926DL-T1-GE3
2668-SI1926DL-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 0.34A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SC-70, 6 PIN
1最小包装量--
SI1926DL-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI1926DL-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
2
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Capacitance tolerance
±0.25pF
Mounting
SMD
Case - inch
0201
Case - mm
0603
Capacitors series
GCQ
Gross weight
0.03 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SC-70, 6 PIN
Drain Current-Max (ID)
0.34 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Operating temperature
-55...125°C
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
电容量
9.8pF
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
不合格
电介质
C0G (NP0)
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
1.4 Ω
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.51 W
饱和电流
1
Operating voltage
50V
SI1926DL-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies







哦! 它是空的。