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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.910389
10
¥0.858855
100
¥0.810246
500
¥0.76438
1000
¥0.721115
Vishay Intertechnologies SI2315BDS-T1-E3
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- 对比
SI2315BDS-T1-E3
2668-SI2315BDS-T1-E3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, TO-236, SOT-23, 3 PIN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI2315BDS-T1-E3详情
Vishay Intertechnologies SI2315BDS-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
Housing material
ABS UL94-V0
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Relative humidity
35...85 %
Dielectric strength
2500 (50 Hz / 1 min.) V
Operating ambient temperature
-40...+80 °C
Load voltage
~90...480 V
Transport packaging size/quantity
37*31.5*20/50
Gross weight
120.00
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
TO-236, SOT-23, 3 PIN
Drain Current-Max (ID)
3 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
Single-phase solid state relay SSR series
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
62 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Insulation resistance
≥100 (at Uisolation.dc=500V) MOhm
Leakage current
5 mA
操作模式
增强型MOSFET
Control mode
with zero crossing control
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-236AB
漏极-源极导通最大电阻
0.05 Ω
DS 击穿电压-最小值
12 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.75 W
Load current
16 A
保险丝
10x38 mm 10A
Control voltage
4...32 (DC) V
反馈上限-最大值 (Crss)
200 pF
Switching time
≤8.3 ms
饱和电流
1
高度
35 mm
宽度
48 mm
SI2315BDS-T1-E3拓展信息
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