SI2315BDS-T1-E3
SI2315BDS-T1-E3

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Vishay Intertechnologies SI2315BDS-T1-E3

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型号

SI2315BDS-T1-E3

utmel 编号

2668-SI2315BDS-T1-E3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, TO-236, SOT-23, 3 PIN

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SI2315BDS-T1-E3
SI2315BDS-T1-E3 Vishay Intertechnologies Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, TO-236, SOT-23, 3 PIN

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SI2315BDS-T1-E3详情

Vishay Intertechnologies SI2315BDS-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • Housing material

    ABS UL94-V0

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Relative humidity

    35...85 %

  • Dielectric strength

    2500 (50 Hz / 1 min.) V

  • Operating ambient temperature

    -40...+80 °C

  • Load voltage

    ~90...480 V

  • Transport packaging size/quantity

    37*31.5*20/50

  • Gross weight

    120.00

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    不推荐

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    TO-236, SOT-23, 3 PIN

  • Drain Current-Max (ID)

    3 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Single-phase solid state relay SSR series

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 深度

    62 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • Insulation resistance

    ≥100 (at Uisolation.dc=500V) MOhm

  • Leakage current

    5 mA

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • Control mode

    with zero crossing control

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-236AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.05 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    12 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.75 W

  • Load current

    16 A

  • 保险丝

    10x38 mm 10A

  • Control voltage

    4...32 (DC) V

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    200 pF

  • Switching time

    ≤8.3 ms

  • 饱和电流

    1

  • 高度

    35 mm

  • 宽度

    48 mm

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技术文档: Vishay Intertechnologies SI2315BDS-T1-E3.

SI2315BDS-T1-E3拓展信息

SQ2319ADS-T1_GE3
SQ2319ADS-T1_GE3

Vishay Intertechnologies

SIHG22N60E-GE3
SIHG22N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

SI4866DY-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

SIHG33N60E-GE3
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Vishay Intertechnologies

IRFP064PBF
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SI1013R-T1-GE3
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SUP40012EL-GE3
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IRFB9N60APBF
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SI2316BDS-T1-GE3
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