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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.588807
10
¥1.498874
100
¥1.414032
500
¥1.333993
1000
¥1.258484
Vishay Intertechnologies SI3127DV-T1-GE3
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- 对比
SI3127DV-T1-GE3
2668-SI3127DV-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MO-193C, TSOP-6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI3127DV-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI3127DV-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks, 3 Days
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MO-193C, TSOP-6
Drain Current-Max (ID)
5.1 A
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
MO-193AA
漏极-源极导通最大电阻
0.089 Ω
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
饱和电流
1
SI3127DV-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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