Vishay Intertechnologies SI3441BDV-T1-E3
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SI3441BDV-T1-E3
2668-SI3441BDV-T1-E3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 2.45A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSOP-6
--最小包装量--
SI3441BDV-T1-E3详情
Vishay Intertechnologies SI3441BDV-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
TSOP-6
Drain Current-Max (ID)
2.45 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.09 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.25 W
饱和电流
1
SI3441BDV-T1-E3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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