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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥11.692444
10
¥11.03061
100
¥10.406234
500
¥9.817201
1000
¥9.261508
Vishay Intertechnologies SI4168DY-T1-GE3
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- 对比
SI4168DY-T1-GE3
2668-SI4168DY-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI4168DY-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI4168DY-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
150 °C
Drain Current-Max (ID)
24 A
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Part Life Cycle Code
活跃
Rohs Code
有
Transport packaging size/quantity
40*30*28/10000
Gross weight
0.62
Maximum working voltage
2.0 Unom.
Application area
for DC circuits
Noal capacitance tolerance
(K) ± 10%min
Noal capacitance
0.1 uFmin
Noal voltage
100 Vmin
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
Metal film capacitor CL21 series
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
housing (T) - 5 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G8
电介质
PET (polyester)
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Insulation resistance
≥15000 MOhm
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
Operating temperature range
-40…+85 °C
JEDEC-95代码
MS-012AA
漏极-源极导通最大电阻
0.0057 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
5.7 W
反馈上限-最大值 (Crss)
130 pF
饱和电流
1
直径
leads - 0.6; distance (P) - 10 mm
宽度
housing (L) - 12.5 mm
高度
housing (H) - 9.5 mm
SI4168DY-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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