注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.828389
10
¥1.724895
100
¥1.627259
500
¥1.53515
1000
¥1.448255
Vishay Intertechnologies SI4178DY-T1-GE3
- 收藏
- 对比
SI4178DY-T1-GE3
2668-SI4178DY-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI4178DY-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI4178DY-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
113 Weeks, 5 Days
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
SOP-8
Drain Current-Max (ID)
12 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Turn-off Time-Max (toff)
35 ns
Turn-on Time-Max (ton)
55 ns
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
参考标准
IEC-61249-2-21
JESD-30代码
R-PDSO-G8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
MS-012AA
漏极-源极导通最大电阻
0.021 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
5 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
5 W
反馈上限-最大值 (Crss)
56 pF
饱和电流
1
SI4178DY-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies






哦! 它是空的。