Vishay Intertechnologies SI4463BDY-T1-GE3
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SI4463BDY-T1-GE3
2668-SI4463BDY-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
--最小包装量--
SI4463BDY-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI4463BDY-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Package Style
小概要
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Drain Current-Max (ID)
9.8 A
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Rohs Code
有
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
MS-012AA
漏极-源极导通最大电阻
0.011 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
3 W
SI4463BDY-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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