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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.305517
10
¥7.835395
100
¥7.391879
500
¥6.973471
1000
¥6.578745
Vishay Intertechnologies SI4497DY-T1-GE3
- 收藏
- 对比
SI4497DY-T1-GE3
2668-SI4497DY-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor, 36A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI4497DY-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI4497DY-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
材料
aluminium
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of heatsink
extruded
Heatsink shape
U
Colour
aluminium
Material finishing
transparently anodized
Mounting
for back plate
Internal width
26.2mm
Gross weight
700 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
Drain Current-Max (ID)
36 A
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
MS-012AA
漏极-源极导通最大电阻
0.0033 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
第二个连接器加载的位置数
LED
饱和电流
1
长度
0.1m
宽度
53.9mm
高度
34.4mm
SI4497DY-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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