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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.304788
10
¥5.947914
100
¥5.611239
500
¥5.293622
1000
¥4.993983
Vishay Intertechnologies SI4909DY-T1-GE3
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- 对比
SI4909DY-T1-GE3
2668-SI4909DY-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 40V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
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¥
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SI4909DY-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI4909DY-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
Mounting type
SMD
Housing material
ceramic
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
2
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Capacitance tolerance
±0.1pF
Mounting
SMD
Case - inch
0402
Case - mm
1005
Capacitors series
KGQ
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
Drain Current-Max (ID)
8 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Gross weight
0.18
Transport packaging size/quantity
28.5*21*19/1500
Nominal current
0.25 A
Nominal voltage
250 V
Operating temperature
-55...+125 °C
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电容量
3.3pF
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
6.1 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G8
电介质
C0G (NP0)
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
Fuse type
Melting insert in SMD housing 2410
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
MS-012AA
漏极-源极导通最大电阻
0.027 Ω
DS 击穿电压-最小值
40 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
3.2 W
饱和电流
1
Operating voltage
50V
高度
2.69 mm
宽度
2.69 mm
SI4909DY-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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