Vishay Intertechnologies SI7113DN-T1-E3

表面安装

YES

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Package Description

ROHS COMPLIANT, POWERPAK 1212-8

Drain Current-Max (ID)

13.2 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-50 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

SQUARE

Package Style

小概要

Turn-off Time-Max (toff)

80 ns

Turn-on Time-Max (ton)

38 ns

Type of integrated circuit

FLASH memory

Kind of memory

NAND闪存

Memory

8Gb FLASH

Case

FBGA63

Kind of interface

parallel

Mounting

SMD

Gross weight

0.5 g

Operating temperature

-40...85°C

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

S-PDSO-F5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.134 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

11.25 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

52 W

饱和电流

1

Operating voltage

2.7...3.6V