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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥23.085011
10
¥21.778315
100
¥20.545578
500
¥19.382621
1000
¥18.285488
Vishay Intertechnologies SI7116DN-T1-E3
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- 对比
SI7116DN-T1-E3
2668-SI7116DN-T1-E3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 40V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI7116DN-T1-E3详情
Vishay Intertechnologies SI7116DN-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
Drain Current-Max (ID)
10.5 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
JESD-30代码
S-XDSO-C5
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0078 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
11 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
3.8 W
饱和电流
1
SI7116DN-T1-E3拓展信息
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