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'si7625dnt1ge3'
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 表面安装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 外壳材料 | JESD-609代码 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级（Eas） | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 饱和电流 | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7625DN-T1-GE3 | Vishay Intertechnologies | 数据表 | 20000 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 5 | SILICON | 1 | 有 | 活跃 | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8 | 17.3 A | 150 °C | UNSPECIFIED | SQUARE | 小概要 | e3 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | DUAL | C 弯管 | 260 | compliant | 30 | S-XDSO-C5 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | P-CHANNEL | 0.007 Ω | 80 A | 30 V | 20 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 52 W | 1 |
哦! 它是空的。