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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.695891
10
¥1.599893
100
¥1.509335
500
¥1.4239
1000
¥1.343304
Vishay Intertechnologies SI7716ADN-T1-GE3
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- 对比
SI7716ADN-T1-GE3
2668-SI7716ADN-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI7716ADN-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI7716ADN-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Mounting
SMD
Case - inch
0805
Case - mm
2012
Capacitors series
KAF
Gross weight
0.028 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Drain Current-Max (ID)
12 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
Operating temperature
-55...125°C
容差
±10%
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
电容量
3.3nF
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
S-XDSO-C5
资历状况
不合格
电介质
X7R
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0135 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
32 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
11.25 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
27.7 W
饱和电流
1
Operating voltage
50V
SI7716ADN-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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