SI7748DP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies SI7748DP-T1-GE3

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型号

SI7748DP-T1-GE3

utmel 编号

2668-SI7748DP-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 23.5A I(D), 30V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8

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SI7748DP-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Power Field-Effect Transistor, 23.5A I(D), 30V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8

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SI7748DP-T1-GE3详情

Vishay Intertechnologies SI7748DP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 材料

    housing - white PA66; seal - silicone rubber

  • 终端数量

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8

  • Drain Current-Max (ID)

    23.5 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Gross Weight

    4.83

  • Transport Packaging Size/Quantity

    48*31.5*27/2000

  • Purpose

    for pressure equalization in sealed enclosures and protection against condensation formation

  • Protection Class

    IP67

  • Application Area

    electrotechnical, lighting, photoelectric, security, automotive and other equipment

  • Air Permeability

    not less than 1 l/min at 70 mbar pressure

  • Mounting Hole Size

    D16.2 mm

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Pressure Relief Valve M16X1.5, plastic

  • 电阻

    hydrostatic pressure - not less than 100 mbar for 30 mins

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    C 弯管

  • 深度

    10+8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-XDSO-C5

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 工作温度范围

    -40…+125 °C

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0048 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    80 A

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    45 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    56 W

  • 饱和电流

    1

  • 高度

    23.8 (D23.8) mm

  • 宽度

    22 mm

  • 直径

    through hole - 10 mm

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技术文档: Vishay Intertechnologies SI7748DP-T1-GE3.

SI7748DP-T1-GE3拓展信息

SQ2319ADS-T1_GE3
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SIHG22N60E-GE3
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SI4866DY-T1-E3
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