Vishay Intertechnologies SI7938DP-T1-GE3
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SI7938DP-T1-GE3
2668-SI7938DP-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 18.5A I(D), 40V, 0.0058ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
--最小包装量--
SI7938DP-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI7938DP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks, 1 Day
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
2
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
Drain Current-Max (ID)
18.5 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
JESD-30代码
R-XDSO-C6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0058 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
80 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
88.2 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
46 W
饱和电流
1
SI7938DP-T1-GE3拓展信息
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