Vishay Intertechnologies SI7942DP-T1-E3

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

2

Package Style

小概要

Package Shape

RECTANGULAR

Package Body Material

UNSPECIFIED

Operating Temperature-Max

150 °C

Drain Current-Max (ID)

3.8 A

Package Description

ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Part Life Cycle Code

活跃

Rohs Code

有

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-XDSO-C6

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.049 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

20 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

3.5 W

饱和电流

1