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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.7342
10
¥1.636036
100
¥1.543429
500
¥1.45607
1000
¥1.373647
Vishay Intertechnologies SI8424CDB-T1-E1
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SI8424CDB-T1-E1
2668-SI8424CDB-T1-E1
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI8424CDB-T1-E1详情
Vishay Intertechnologies SI8424CDB-T1-E1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
GRID ARRAY, S-PBGA-B4
Drain Current-Max (ID)
10 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
SQUARE
Package Style
网格排列
ECCN 代码
EAR99
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
S-PBGA-B4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.02 Ω
DS 击穿电压-最小值
8 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.7 W
SI8424CDB-T1-E1拓展信息
Vishay Intertechnologies
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