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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥74.471261
10
¥70.255908
100
¥66.279156
500
¥62.52751
1000
¥58.98821
Vishay Intertechnologies SIHG47N60E-GE3
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- 对比
SIHG47N60E-GE3
2668-SIHG47N60E-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 600V, 0.064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SIHG47N60E-GE3详情
Vishay Intertechnologies SIHG47N60E-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Capacitance tolerance
±0.05pF
Mounting
SMD
Case - inch
0201
Case - mm
0603
Capacitors series
GCQ
Gross weight
0.03 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Drain Current-Max (ID)
47 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Operating temperature
-55...125°C
ECCN 代码
EAR99
电容量
9.4pF
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSFM-T3
电介质
C0G (NP0)
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-247AC
漏极-源极导通最大电阻
0.064 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
145 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
1800 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
357 W
Operating voltage
50V
SIHG47N60E-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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