Vishay Intertechnologies SIR172DP-T1-GE3
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SIR172DP-T1-GE3
2668-SIR172DP-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 16.1A I(D), 30V, 0.0089ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
1最小包装量--
SIR172DP-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SIR172DP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
Drain Current-Max (ID)
16.1 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-XDSO-C5
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0089 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
50 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
22 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
29.8 W
饱和电流
1
SIR172DP-T1-GE3拓展信息
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