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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥21.498097
10
¥20.281226
100
¥19.133229
500
¥18.050213
1000
¥17.028505
Vishay Intertechnologies SIR468DP-T1-GE3
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- 对比
SIR468DP-T1-GE3
2668-SIR468DP-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 22.7A I(D), 30V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SIR468DP-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SIR468DP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Gross weight
15.30
Transport packaging size/quantity
49*31*34/1000
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
Drain Current-Max (ID)
22.7 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-XDSO-C5
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0057 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
70 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
61 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
50 W
饱和电流
1
SIR468DP-T1-GE3拓展信息
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