Vishay Intertechnologies SIR470DP-T1-GE3

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Package Description

POWERPAK SO-8

Drain Current-Max (ID)

60 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Turn-off Time-Max (toff)

225 ns

Turn-on Time-Max (ton)

135 ns

Gross Weight

0.07

Transport packaging size/quantity

60*40*27/50000

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

雪崩 额定

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-F8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.00265 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

125 mJ

场效应管技术

半导体金属

最大耗散功率(Abs)

104 W

环境耗散-最大值

104 W

饱和电流

1