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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.940324
10
¥6.547478
100
¥6.176866
500
¥5.82723
1000
¥5.497386
Vishay Intertechnologies SIRA10DP-T1-GE3
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- 对比
SIRA10DP-T1-GE3
2668-SIRA10DP-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SIRA10DP-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SIRA10DP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
SOP-8
Drain Current-Max (ID)
60 A
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Type of sound transducer
piezo signaller
Mounting
on panel
Resonant frequency
4kHz
Operating current
18mA
Sound level
95dB
Body colour
yellow
Leads
connectors 4,8mm
Body dimensions
Ø36.5x23.5mm
Backlight colour
yellow
Gross weight
220 g
Operating temperature
-20...70°C
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Terminal pitch
15mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
照明
LED
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0037 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
140 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
20 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Operating voltage
3...15V DC
直径
36.5mm
高度
23.5mm
SIRA10DP-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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