Vishay Intertechnologies SISH536DN-T1-GE3

工厂交货时间

12 Weeks

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Gross weight

2.16

Transport packaging size/quantity

48*32*27/5000

Noal current

6 Amin

Maximum voltage

250 V

Mounting method

on PCB, soldering

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Drain Current-Max (ID)

67.4 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

SQUARE

Package Style

小概要

Turn-off Time-Max (toff)

46 ns

Turn-on Time-Max (ton)

28 ns

ECCN 代码

EAR99

类型

fuse holder for PCB

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

S-PDSO-N5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

Fuse type

Ф5.2x20 mm

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0046 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

20 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

26.5 W

反馈上限-最大值 (Crss)

27 pF