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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥11.433295
10
¥10.78613
100
¥10.175593
500
¥9.599613
1000
¥9.056241
Vishay Intertechnologies SISS27ADN-T1-GE3
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- 对比
SISS27ADN-T1-GE3
2668-SISS27ADN-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
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Power Field-Effect Transistor
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¥
总价: ¥
SISS27ADN-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SISS27ADN-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Capacitance tolerance
±0.5pF
Mounting
SMD
Case - inch
0201
Case - mm
0603
Capacitors series
GCQ
Gross weight
0.03 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Date Of Intro
2017-03-22
Drain Current-Max (ID)
50 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
Turn-off Time-Max (toff)
102 ns
Turn-on Time-Max (ton)
45 ns
Operating temperature
-55...125°C
ECCN 代码
EAR99
电容量
9.7pF
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
S-PDSO-N5
电介质
C0G (NP0)
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0051 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
31 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
57 W
反馈上限-最大值 (Crss)
440 pF
Operating voltage
50V
SISS27ADN-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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