注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.783
10
¥2.625468
100
¥2.476862
500
¥2.336661
1000
¥2.204397
Vishay Intertechnologies SISS27DN-T1-GE3
- 收藏
- 对比
SISS27DN-T1-GE3
2668-SISS27DN-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor,
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SISS27DN-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SISS27DN-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Drain Current-Max (ID)
50 A
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
S-PDSO-N5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0056 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
31 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
SISS27DN-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies






哦! 它是空的。