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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥13.774199
10
¥12.994529
100
¥12.258989
500
¥11.565083
1000
¥10.910455
Vishay Intertechnologies SIZ322DT-T1-GE3
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- 对比
SIZ322DT-T1-GE3
2668-SIZ322DT-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
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Power Field-Effect Transistor
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¥
总价: ¥
SIZ322DT-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SIZ322DT-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
2
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
,
Date Of Intro
2017-03-21
Drain Current-Max (ID)
30 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
Turn-off Time-Max (toff)
60 ns
Turn-on Time-Max (ton)
70 ns
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
S-PDSO-N8
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
排水源头
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.00635 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
100 A
DS 击穿电压-最小值
25 V
雪崩能量等级(Eas)
11.25 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
16.7 W
反馈上限-最大值 (Crss)
50 pF
SIZ322DT-T1-GE3拓展信息
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