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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.160756
10
¥6.755432
100
¥6.373046
500
¥6.01231
1000
¥5.671991
Vishay Intertechnologies SQ2325ES-T1-GE3
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- 对比
SQ2325ES-T1-GE3
2668-SQ2325ES-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 0.84A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236,
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SQ2325ES-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SQ2325ES-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Description
Li-Ion battery protection board BMS PCM (3S 20A) with balancing
Maximum current
charging - 20 A
Gross weight
5.60
Transport packaging size/quantity
28.5*21*19/500
Maximum charging voltage
12.6 V
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Drain Current-Max (ID)
0.84 A
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
深度
64 mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
P-CHANNEL
Operating temperature range
-40…+50 °C
JEDEC-95代码
TO-236
漏极-源极导通最大电阻
1.77 Ω
DS 击穿电压-最小值
150 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电源
charging - up to 252 W
反馈上限-最大值 (Crss)
22 pF
Battery type
3 batteries (3S) Uном=3.6 (3.7) V: 18650; 26650; Li-Pol
Module type
Li-ion battery protection board BMS PCM (3S 20A) with balancing
高度
3.4 mm
宽度
20 mm
SQ2325ES-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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