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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.421039
10
¥2.283999
100
¥2.154716
500
¥2.03275
1000
¥1.91769
Vishay Intertechnologies SQ2398ES-T1_GE3
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- 对比
SQ2398ES-T1_GE3
2668-SQ2398ES-T1_GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SQ2398ES-T1_GE3详情
Vishay Intertechnologies SQ2398ES-T1_GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
25 Weeks
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Gross weight
20.80
Transport packaging size/quantity
42*28*18.5/500
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
SOT-23, 3 PIN
Drain Current-Max (ID)
1.6 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Turn-off Time-Max (toff)
32 ns
Turn-on Time-Max (ton)
30.9 ns
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-236AB
漏极-源极导通最大电阻
0.3 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
6.6 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
1.2 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
12 pF
SQ2398ES-T1_GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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