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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.035064
10
¥3.806665
100
¥3.591193
500
¥3.387918
1000
¥3.196149
Vishay Intertechnologies SQ7415CENW-T1_GE3
- 收藏
- 对比
SQ7415CENW-T1_GE3
2668-SQ7415CENW-T1_GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SQ7415CENW-T1_GE3详情
Vishay Intertechnologies SQ7415CENW-T1_GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Drain Current-Max (ID)
16 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
Turn-off Time-Max (toff)
72 ns
Turn-on Time-Max (ton)
24 ns
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
S-PDSO-F8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.065 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
64 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
26 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
53 W
反馈上限-最大值 (Crss)
105 pF
SQ7415CENW-T1_GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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