SQ9945BEY-T1_GE3
SQ9945BEY-T1_GE3

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Vishay Intertechnologies SQ9945BEY-T1_GE3

  • 收藏
  • 对比

型号

SQ9945BEY-T1_GE3

utmel 编号

2668-SQ9945BEY-T1_GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
SQ9945BEY-T1_GE3
SQ9945BEY-T1_GE3 Vishay Intertechnologies Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

SQ9945BEY-T1_GE3详情

Vishay Intertechnologies SQ9945BEY-T1_GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    15 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    2

  • Type of enclosure

    multipurpose

  • Dimension X

    168mm

  • Dimension Y

    168mm

  • Dimension Z

    78mm

  • Enclosure series

    AUG

  • Enclosure material

    aluminium

  • Body colour

    black

  • Side colour

    blue

  • Dimensions

    See

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8

  • Drain Current-Max (ID)

    5.4 A

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Turn-off Time-Max (toff)

    29 ns

  • Turn-on Time-Max (ton)

    13.2 ns

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 参考标准

    AEC-Q101

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    MS-012AA

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.082 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    21.5 A

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    3.6 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    36 pF

0个相似型号

技术文档: Vishay Intertechnologies SQ9945BEY-T1_GE3.

SQ9945BEY-T1_GE3拓展信息

SQ2319ADS-T1_GE3
SQ2319ADS-T1_GE3

Vishay Intertechnologies

SIHG22N60E-GE3
SIHG22N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

SI4866DY-T1-E3
SI4866DY-T1-E3

Vishay Intertechnologies

SIHG33N60E-GE3
SIHG33N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

IRFP064PBF
IRFP064PBF

Vishay Intertechnologies

SI1013R-T1-GE3
SI1013R-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

SUP40012EL-GE3
SUP40012EL-GE3

Vishay Intertechnologies

SI7112DN-T1-GE3
SI7112DN-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IRFB9N60APBF
IRFB9N60APBF

Vishay Intertechnologies

SI2316BDS-T1-GE3
SI2316BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z