Vishay Intertechnologies SQD50N04-4M5L-GE3
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SQD50N04-4M5L-GE3
2668-SQD50N04-4M5L-GE3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
--最小包装量--
SQD50N04-4M5L-GE3详情
Vishay Intertechnologies SQD50N04-4M5L-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Drain Current-Max (ID)
50 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252
漏极-源极导通最大电阻
0.006 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
151 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
136 W
饱和电流
1
SQD50N04-4M5L-GE3拓展信息
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