SQJ476EP-T1_GE3
SQJ476EP-T1_GE3

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Vishay Intertechnologies SQJ476EP-T1_GE3

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型号

SQJ476EP-T1_GE3

utmel 编号

2668-SQJ476EP-T1_GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor,

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SQJ476EP-T1_GE3
SQJ476EP-T1_GE3 Vishay Intertechnologies Power Field-Effect Transistor,

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SQJ476EP-T1_GE3详情

Vishay Intertechnologies SQJ476EP-T1_GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    25 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Completeness

    3p plug + 3p socket

  • Maximum current

    30 A

  • Dielectric strength

    600 V

  • Insulator material

    PBT

  • Fire resistance class

    UL94 V0

  • Transport packaging size/quantity

    42*28*23.5/200

  • Type of capacitor

    ceramic

  • Kind of capacitor

    MLCC

  • Mounting

    SMD

  • Case - inch

    1206

  • Case - mm

    3216

  • Capacitors series

    KAF

  • Gross weight

    0.032 g

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    SO-8L, 4 PIN

  • Date Of Intro

    2016-07-18

  • Drain Current-Max (ID)

    23 A

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Operating temperature

    -55...125°C

  • 容差

    ±10%

  • ECCN 代码

    EAR99

  • Connector type

    High power connector set TX30 for radio controlled models, three-pin

  • 电容量

    1µF

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 深度

    plug - 26; socket - 23.2 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G4

  • 电介质

    X7R

  • Contact resistance

    ≤0.6 mОm

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • Operating temperature range

    -40...+120 °C

  • Rated current

    15 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.038 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    45 A

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    16 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • Operating voltage

    50V

  • 高度

    plug - 12.20; socket - 12.30 mm

  • 宽度

    24.7 mm

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技术文档: Vishay Intertechnologies SQJ476EP-T1_GE3.

SQJ476EP-T1_GE3拓展信息

SI4160DY-T1-GE3
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IRF540PBF
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SI4848DY-T1-E3
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