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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.61137
10
¥6.237141
100
¥5.8841
500
¥5.551031
1000
¥5.236825
Vishay Intertechnologies SQJ946EP-T1_GE3
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SQJ946EP-T1_GE3
2668-SQJ946EP-T1_GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 40V, 0.033ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8L, 4 PIN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SQJ946EP-T1_GE3详情
Vishay Intertechnologies SQJ946EP-T1_GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Drain Current-Max (ID)
15 A
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Rohs Code
有
Gross weight
0.02 g
Capacitors series
KGM
Case - mm
3225
Case - inch
1210
Mounting
SMD
Kind of capacitor
MLCC
Type of capacitor
ceramic
Operating temperature
-30...85°C
容差
-20...80%
ECCN 代码
EAR99
电容量
1µF
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PSSO-G4
电介质
Y5V
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.033 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
6 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Operating voltage
50V
SQJ946EP-T1_GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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