Vishay Intertechnologies SQJ951EP-T1_GE3

工厂交货时间

20 Weeks

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

2

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4

Drain Current-Max (ID)

30 A

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G4

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.017 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

36.5 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR