SUD50P04-08-GE3
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Vishay Intertechnologies SUD50P04-08-GE3

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型号

SUD50P04-08-GE3

utmel 编号

2668-SUD50P04-08-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0081ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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SUD50P04-08-GE3
SUD50P04-08-GE3 Vishay Intertechnologies Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0081ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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SUD50P04-08-GE3详情

Vishay Intertechnologies SUD50P04-08-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    17 Weeks, 4 Days

  • 表面安装

    YES

  • Housing material

    flame retardant plastic

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

  • Drain Current-Max (ID)

    50 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Gross weight

    43.00

  • Transport packaging size/quantity

    35*32*26/200

  • Installation hole size

    Ф22 mm

  • Measurement range

    (AC) - 50…500 V, 0-100A

  • Working temperature range

    -25…+65 °C

  • Completeness

    device; ring current sensor Ф14.5/ 32.5 mm; h - 12.5 mm

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    digital LED volt-ammeter DMS series (AD16-22VAM R)

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 颜色

    light color - red

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 深度

    51 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • Lead length

    device ~ 100; sensor ~ 178 mm

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • Insulation resistance

    ≥2 MOhm

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-252

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0081 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    100 A

  • DS 击穿电压-最小值

    40 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    106 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    73.5 W

  • 饱和电流

    1

  • 直径

    display - 28.5 mm

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技术文档: Vishay Intertechnologies SUD50P04-08-GE3.

SUD50P04-08-GE3拓展信息

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