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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 BUJ100LR,412
BUJ100LR,412
BUJ100LR,412

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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WeEn Semiconductors BUJ100LR,412

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型号

BUJ100LR,412

品牌

WeEn Semiconductors

utmel 编号

2700-BUJ100LR,412

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

交货地

大陆

交期（工作日）

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ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN 400V 1A TO-92

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BUJ100LR,412
BUJ100LR,412 WeEn Semiconductors TRANS NPN 400V 1A TO-92

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BUJ100LR,412详情

技术参数

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型号对比

WeEn Semiconductors BUJ100LR,412重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    1A

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 基本部件号

    BUJ100

  • 功率 - 最大

    2.1W

  • 晶体管类型

    NPN

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    10 @ 400mA 5V

  • 最大集极截止电流

    1mA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    1.5V @ 250mA, 750mA

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    400V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: WeEn Semiconductors BUJ100LR,412.

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右边的3个型号有着和WeEn Semiconductors & BUJ100LR,412相似的参数规格。

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Package / Case
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    Part Status
    Mounting Type
    Transistor Type
    Current - Collector Cutoff (Max)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    查看对比:
  • BUJ100LR,412

    BUJ100LR,412

    WeEn Semiconductors

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

    400V

    1 (Unlimited)

    Active

    Through Hole

    NPN

    1mA

    1.5V @ 250mA, 750mA

  • APT27ZTR-G1
    APT27ZTR-G1

    Diodes Incorporated

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

    450V

    1 (Unlimited)

    Active

    Through Hole

    NPN

    10μA

    500mV @ 40mA, 200mA

    BUJ100LR,412
    VS
    APT27ZTR-G1

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