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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量																																														操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	电源电压	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	基本部件号	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	工作电源电压	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	界面	最大电源电压	最小电源电压	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存接口	建筑学	数据总线宽度	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	最高频率	访问时间（最大）	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	反向引脚排列	座位高度(最大)	长度
GS816136DGT-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR							有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		Tray		GS816136DGT							Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																								18 Mbit				230 mA, 250 mA	5.5 ns					512 k x 36						SRAM												SRAM
GS8160E36DGT-200IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade							200 MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 100 C	2.7 V	-40 to 85 °C	Tray		GS8160E36DGT							DCD Synchronous Burst						Memory & Data Storage													100											18 Mbit	4			225 mA, 230 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined		512 k x 36					19 Bit	SRAM	18 Mbit				Industrial						SRAM
GS8672D36BE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	QDR-II							有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V		Tray		GS8672D36BE							SigmaQuad-II						Memory & Data Storage																								72 Mbit				1.88 A						2 M x 36						SRAM			72									SRAM
GS881Z36CGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR							有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		Tray		GS881Z36CGT							NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																								9 Mbit				130 mA, 140 mA	7.5 ns					256 k x 36						SRAM												SRAM
GS8161E32DGT-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR							有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		Tray		GS8161E32DGT							DCD Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																								18 Mbit				230 mA, 250 mA	5.5 ns					512 k x 32						SRAM												SRAM
GS8672Q18BE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165							400 MHz	Parallel	1.7 V	- 40 C	+ 85 C	SMD/SMT	QDR-II	有	15	SigmaQuad-II	1.9 V		Tray		GS8672Q18BE							SigmaQuad-II																														72 Mbit				1.38 A						4 M x 18									72
GS84032CGB-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	YES	119	活跃	RECTANGULAR	BGA	2.5 V	131072 words	GS84032CGB-150	有	70 °C	未说明	PLASTIC/EPOXY	128000	网格排列	BGA,					Details	150 MHz	Parallel	2.3 V	0 C	+ 70 C	SMD/SMT	SDR	有	84	SyncBurst	3.6 V	5.18	GSI TECHNOLOGY		Tray		GS84032CGB						3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through				IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE			CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1.27 mm	compliant					R-PBGA-B119			2.7 V		COMMERCIAL	2.3 V				4 Mbit		SYNCHRONOUS		130 mA, 140 mA	7.5 ns					128 k x 32		1.99 mm	32						4194304 bit				PARALLEL	缓存SRAM					22 mm	14 mm
GS8182D18BGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	Commercial grade							250 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	表面贴装	1.9 V	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 to 70 °C	Tray		GS8182D18BGD							SigmaQuad-II						Memory & Data Storage													165											18 Mbit	2			420 mA				Pipelined		1 M x 18					18 Bit	SRAM	18 Mbit				Commercial						SRAM
GS8321E36AGD-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES			165	133@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	18	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	7.5 ns	85 °C	有	GS8321E36AGD-150	150 MHz	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.31	BGA	Commercial grade		0 to 85 °C	Tray		GS8321E36AGD	e1	有				3A991.B.2.B	DCD Pipeline/Flow Through	锡银铜			IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE		Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1		1 mm	compliant				165	R-PBGA-B165	不合格		2.7 V	2.5/3.3 V	OTHER	2.3 V				36 Mbit	4	SYNCHRONOUS		190 mA, 200 mA	7.5 ns		Flow-Through/Pipelined		1 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36		20 Bit	SRAM	36 Mbit	0.03 A	37748736 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	2.3 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8161E36DD-250V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Commercial grade							181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	0 to 70 °C	Tray		GS8161E36DD							DCD Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													165											18 Mbit	4			225 mA, 245 mA	5.5 ns			Flow-Through/Pipelined		512 k x 36					19 Bit	SRAM	18 Mbit				Commercial						SRAM
GS816136DGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	SyncBurst	Details	SDR	QFP,	FLATPACK	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	7.5 ns	70 °C	有	GS816136DGT-150	524288 words	2.5 V	QFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.26	QFP				有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray		GS816136DGT						3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through				FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	未说明	1			compliant				100	R-PQFP-G100			2.7 V		COMMERCIAL	2.3 V				18 Mbit		SYNCHRONOUS		180 mA, 190 mA	7.5 ns					512 k x 36			36			SRAM			18874368 bit			PARALLEL		缓存SRAM			SRAM
GS816132DGD-150V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	150 MHz	+ 85 C	2.7 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade				0 to 85 °C			GS816132DGD																										165											18 Mbit	4			175 mA, 190 mA	7.5 ns			Flow-Through/Pipelined		512 k x 32					19 Bit		18 Mbit				Commercial
GS8342T37BGD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Industrial grade							333 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	-40 to 100 °C	Tray		GS8342T37BGD							SigmaDDR-II+ B2						Memory & Data Storage													165											36 Mbit	1			670 mA				Pipelined		1 M x 36					19 Bit	SRAM	36 Mbit				Industrial						SRAM
GS8162Z36DB-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-119	YES	119	NBT SRAM	SDR	BGA,	网格排列	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	无	GS8162Z36DB-200I	524288 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.25	BGA				有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray		GS8162Z36DB						3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through				FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1.27 mm	compliant				119	R-PBGA-B119	不合格		2.7 V		INDUSTRIAL	2.3 V				18 Mbit		SYNCHRONOUS		230 mA	6.5 ns					512 k x 36		1.99 mm	36			SRAM			18874368 bit			PARALLEL		ZBT SRAM			SRAM		22 mm	14 mm
GS8161E32DGT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR							有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C		Tray		GS8161E32DGT							DCD Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																								18 Mbit				250 mA, 270 mA	5.5 ns					512 k x 32						SRAM												SRAM
GS8321E36AD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165				153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade				0 to 85 °C			GS8321E36AD																										165											36 Mbit	4			205 mA, 240 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined		1 M x 36					20 Bit		36 Mbit				Commercial
GS882Z18CGB-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	Parallel							250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	2.3 V	SMD/SMT				GS882Z18CGB																																					9 Mbit				145 mA, 180 mA	5.5 ns					512 k x 18
GS816218DGD-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR							有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		Tray		GS816218DGD							Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																								18 Mbit				170 mA, 180 mA	7.5 ns					1 M x 18						SRAM												SRAM
AT49F008AT-12TC	Microchip Technology	数据表	68 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	40-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)	40	40-TSOP				Non-Volatile	0°C~70°C TC	Tray	1997				Obsolete	3 (168 Hours)					70°C	0°C					4.5V~5.5V								120GHz		AT49F008									Parallel	5.5V	4.5V	8Mb 1M x 8 512K x 16					120ns	FLASH	Parallel		8b					50μs																			Non-RoHS Compliant	含铅
AS6C62256A-70SIN	Alliance Memory, Inc.	数据表	23 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	表面贴装	28-SOIC (0.330, 8.38mm Width)	YES	28	Volatile			-40°C~85°C TA	Tube	2009			yes	活跃	3 (168 Hours)	28	EAR99									4.5V~5.5V	DUAL		260	1	5V				40		28		不合格	5V		5V						256Kb 32K x 8	1			0.07mA		SRAM	Parallel			32KX8	3-STATE		8	70ns	15b		256 kb	0.000006A		14MHz		70 ns		COMMON		2V	YES		3.048mm				ROHS3 Compliant
IS64WV25616EDBLL-10BLA3	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	数据表	214 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	表面贴装	48-TFBGA	YES	48	Automotive grade			Volatile	-40°C~125°C TA	Tray					活跃	3 (168 Hours)	48										2.4V~3.6V	BOTTOM			1	3V	0.75mm					48				3.6V	2.5/3.3V		2.4V				4Mb 256K x 16	1					SRAM	Parallel				3-STATE		16	10ns	18b		4 Mb							COMMON		2V				8mm		无	ROHS3 Compliant
CY15B016Q-SXET	Cypress Semiconductor Corp	数据表	5000 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	YES	Non-Volatile	Automotive grade				-40°C~125°C TA	Tape & Reel (TR)		Automotive, AEC-Q100, F-RAM™			活跃	3 (168 Hours)	8	EAR99						8542.32.00.71			2.7V~3.65V	DUAL		未说明	1	3.3V	1.27mm			未说明			R-PDSO-G8			3.6V			3V				16Kb 2K x 8		SYNCHRONOUS	16MHz			FRAM	SPI			2KX8			8						16384 bit										1.727mm	4.889mm	3.8985mm		ROHS3 Compliant
AS7C1024B-15TJCNTR	Alliance Memory, Inc.	数据表	42 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)	YES	32	Volatile			0°C~70°C TA	Tape & Reel (TR)	2002		e3/e6	yes	活跃	3 (168 Hours)	32			PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH							4.5V~5.5V	DUAL		245	1	5V	1.27mm			40		32				5.5V			4.5V				1Mb 128K x 8						SRAM	Parallel			128KX8			8	15ns					1048576 bit			15 ns							3.683mm	20.995mm	7.62mm		ROHS3 Compliant
CY7C1049B-20VC	Cypress Semiconductor Corp	数据表	40 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)	YES	36				Volatile	0°C~70°C TA	Tube	2000		e0	no	Obsolete	3 (168 Hours)	36	3A991.B.2.A		Tin/Lead (Sn/Pb)				8542.32.00.41			4.5V~5.5V	DUAL		225	1	5V	1.27mm	not_compliant	20GHz	30	CY7C1049	36		不合格		5.5V	5V		4.5V				4Mb 512K x 8						SRAM	Parallel			512KX8	3-STATE		8	20ns				0.008A	4194304 bit			20 ns		COMMON		4.5V			3.683mm	23.495mm	10.16mm		Non-RoHS Compliant	含铅
GS8672Q19BGE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	15	SigmaQuad-II+	1.9 V							Details	400 MHz	Parallel	1.7 V	- 40 C	+ 85 C	SMD/SMT	QDR-II	有		Tray		GS8672Q19BGE							SigmaQuad-II+		100 °C	-40 °C																			1.8 V								72 Mbit	2			1.38 A						4 M x 18					21 b		72 Mb		72													无