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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	产品类别	长度
GS8161E32DD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR					Tray	GS8161E32DD				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															18 Mbit			230 mA	6.5 ns		512 k x 32					SRAM									SRAM
GS8160E32DGT-150IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade				150 MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 100 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	-40 to 85 °C	Tray	GS8160E32DGT				DCD Synchronous Burst				Memory & Data Storage								100							18 Mbit	4		195 mA, 210 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial					SRAM
GS8182D36BD-167I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165				有	167 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR		Tray	GS8182D36BD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage															18 Mbit			390 mA			512 k x 36					SRAM									SRAM
GS816236DGD-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SyncBurst	Details	SDR				有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS816236DGD				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															18 Mbit			200 mA, 210 mA	7.5 ns		512 k x 36					SRAM									SRAM
GS816236DGB-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	SyncBurst	Details	SDR				有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS816236DGB				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															18 Mbit			200 mA, 210 mA	7.5 ns		512 k x 36					SRAM									SRAM
GS816032DGT-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	表面贴装	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	5.5 ns	85 °C	有	GS816032DGT-250IV	1.8 V	LQFP	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.34	QFP	Industrial grade	181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	-40 to 100 °C		GS816032DGT			3A991.B.2.B			ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41		CMOS	QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant	100	R-PQFP-G100		2 V		INDUSTRIAL	1.7 V	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	250 mA, 270 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32		1.6 mm	32	20 Bit		18 Mbit		16777216 bit	Industrial	PARALLEL		缓存SRAM			20 mm	14 mm
GS842Z36CB-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119				有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	84	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR		Tray	GS842Z36CB				NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															4 Mbit			150 mA, 160 mA	7.5 ns		128 k x 36					SRAM									SRAM
GS8342QT07BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165				300 MHz	FBGA	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 Bit	1.9 V	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR	0 to 85 °C	Tray	GS8342QT07BD				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage								165							36 Mbit			775 mA	0.45		4 M x 8					SRAM			36						SRAM
GS8162Z36DB-150IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-119	YES	119	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	21	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	BGA,	网格排列	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	7.5 ns	85 °C	无	GS8162Z36DB-150IV	1.8 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.25	BGA	Industrial grade	133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8162Z36DB			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through		FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	119	R-PBGA-B119	不合格	2 V		INDUSTRIAL	1.7 V	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	195 mA, 210 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36		1.99 mm	36	19 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit	Industrial	PARALLEL		ZBT SRAM		SRAM	22 mm	14 mm
GS8160E32DGT-200V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade				200 MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	2.7 V	0 C	18	1.7 V	0 to 70 °C	Tray	GS8160E32DGT				DCD Synchronous Burst				Memory & Data Storage								100							18 Mbit	4		205 mA, 210 mA	6.5 ns		512 k x 32					SRAM	18 Mbit			Commercial					SRAM
GS8182Q08BD-133	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II	N	DDR				有	133 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8182Q08BD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage															18 Mbit			375 mA			2 M x 8					SRAM									SRAM
GS8161E36DD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165				有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR		Tray	GS8161E36DD				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															18 Mbit			230 mA, 250 mA	5.5 ns		512 k x 36					SRAM									SRAM
GS8342DT07BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II+	N	DDR	Commercial grade				300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	0 to 85 °C	Tray	GS8342DT07BD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	2		530 mA		Pipelined	4 M x 8				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial					SRAM
GS8322Z18AGB-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-119	YES	119	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	14	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	BGA, BGA119,7X17,50	网格排列	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA119,7X17,50	未说明	4.5 ns	70 °C	有	GS8322Z18AGB-333	333 MHz	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.13	BGA	Commercial grade	222.2@Flow-Through/333@Pipelined MHz	0 to 85 °C	Tray	GS8322Z18AGB	e1	有	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1.27 mm	compliant	119	R-PBGA-B119	不合格	2.7 V	2.5/3.3 V	COMMERCIAL	2.3 V	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	235 mA, 320 mA	4.5 ns	Flow-Through/Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.99 mm	18	21 Bit	SRAM	36 Mbit	0.03 A	37748736 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	ZBT SRAM	2.3 V	SRAM	22 mm	14 mm
GS8672D38BGE-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II				有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8672D38BGE				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage															72 Mbit			2.25 A			2 M x 36					SRAM			72						SRAM
GS8161E36DGD-150V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	18	1.7 V	0 to 70 °C	Tray	GS8161E36DGD				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage								165							18 Mbit	4		175 mA, 190 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial					SRAM
GS8672D18BE-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II	N	QDR-II				有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8672D18BE				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.36 A			4 M x 18					SRAM			72						SRAM
GS8161Z32DGD-250V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	BGA	5.3	GSI TECHNOLOGY	活跃	RECTANGULAR	LBGA	1.8 V	GS8161Z32DGD-250V	有	70 °C	5.5 ns	未说明	PLASTIC/EPOXY	1000000	Commercial grade	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	0 to 85 °C	Tray	GS8161Z32DGD			3A991.B.2.B	NBT		FLOW THROUGH AND PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165		2 V		COMMERCIAL	1.7 V	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	225 mA, 245 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32		1.4 mm	32		SRAM	18 Mbit		33554432 bit	Commercial	PARALLEL		ZBT SRAM		SRAM	15 mm	13 mm
GS8342Q36BGD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	Commercial grade				333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342Q36BGD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	2		1.055 A		Pipelined	1 M x 36				19 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial					SRAM
GS8342Q37BD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	Industrial grade				250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS8342Q37BD				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	2		775 mA		Pipelined	1 M x 36				19 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial					SRAM
GS8182S18BGD-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR	Commercial grade				375 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	0 to 70 °C	Tray	GS8182S18BGD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage								165							18 Mbit	2		680 mA		Pipelined	1 M x 18				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial					SRAM
GS8342TT10BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Industrial grade				300 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	-40 to 100 °C	Tray	GS8342TT10BGD				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	1		460 mA		Pipelined	4 M x 9				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial					SRAM
GS816132DGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SyncBurst	Details	SDR				有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS816132DGD				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															18 Mbit			230 mA	6.5 ns		512 k x 32					SRAM									SRAM
GS816118DD-333IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Industrial grade				200@Flow-Through/333@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 100 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS816118DD				同步突发				Memory & Data Storage								165							18 Mbit	2		240 mA, 300 mA	5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18				20 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial					SRAM
GS8160E18DGT-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100				250 MHz	TQFP	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	18 Bit	2, 2.7 V	有	250 MHz	+ 100 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	-40 to 85 °C	Tray	GS8160E18DGT				DCD Synchronous Burst				Memory & Data Storage								100							18 Mbit			225 mA, 245 mA	5.5		1 M x 18					SRAM			18						SRAM